回到2024年6月20日，IPO重启，上交所、深交所各受理一家IPO，之后，IPO受理又陷入暂停阶段，时隔100天的2024年9月30日，上交所新受理一家IPO——武汉新芯。 武汉新芯是国内领先的-SOI 工艺平台已经实现量产，器件性能国内领先。在三维集成领域，企业具有国际领先的硅通孔、混合键合等核心技术。

　　据招股说明书，武汉新芯前身新芯有限设立于 2006 年4 月21 日，系由湖北科投以货币认缴出资，设立时注册资本为 160,000.00 万元。截止本次提交材料，新芯的股东分布如下图所示。

　　据介绍，武汉新芯是国内领先的半导体特色工艺晶圆代工企业，聚焦于特色存储、数模混合和三维集成等业务领域，可提供基于多种技术节点、不同工艺平台的各类半导体产品晶圆代工。公司以特色存储业务为支撑、以三维集成技术为牵引，各项业务平台深化协同，持续进行技术迭代。未来，公司致力于成为三维时代半导体先进制造引领者，助力客户提升核心竞争力，繁荣中国半导体高端应用。

　　如上图所示，我们大家可以看到新芯过去几个季度的营收。从下图我，我们则能看到该公司不同工艺平台的营业收入。

　　新芯表示，在特色存储领域，公司是中国大陆顶级规模的NOR Flash 制造厂商，拥有业界领先的代码型闪存技术。在数模混合领域，公司具备 CMOS 图像传感器全流程工艺，技术平台布局完整、技术实力领先，55nm RF-SOI 工艺平台已经实现量产，器件性能国内领先。在三维集成领域，企业具有国际领先的硅通孔、混合键合等核心技术。 具体而言，公司是国内领先的半导体特色工艺晶圆代工企业，聚焦于特色存储、数模混合和三维集成等业务领域，可提供基于多种技术节点、不同工艺平台的各类半导体产品晶圆代工。

　　在特色存储领域，公司是中国大陆顶级规模的NOR Flash 制造厂商，拥有业界领先的代码型闪存技术，制造工艺涵盖浮栅（Floating Gate，又称 ETOX）型与电荷俘获（Charge Trap，又称SONOS）型两种主流结构。公司在浮栅工艺上制程节点涵盖65nm 到50nm，其中50nm 技术平台具有业内领先的存储密度；在电荷俘获工艺方面为客户一代码型闪存（产品A）全球唯一晶圆代工供应商。 在数模混合领域，公司具备 CMOS 图像传感器制造全流程工艺，拥有多年稳定量产的 BSI 工艺和堆栈式工艺，技术平台布局完整、技术实力领先；公司12 英寸RF-SOI 工艺平台已经实现55nm 产品量产，射频器件性能国内领先，大范围的应用于智能手机等无线通讯领域。

　　在三维集成领域，企业具有国际领先的硅通孔、混合键合等核心技术，公司双晶圆堆叠、多晶圆堆叠、芯片-晶圆异构集成以及硅转接板技术应用不断拓展。

　　截至2024 年3 月末，公司共拥有两座12 英寸晶圆厂。在报告期内，公司以特色存储业务为支撑、以三维集成技术为牵引，各项业务平台深化协同，持续进行技术迭代。 目前，公司多项技术及产品已大范围的应用于汽车电子工业控制消费电子、计算机等下游领域，与各细分行业头部厂商形成了稳定、良好的合作伙伴关系。未来，公司致力于成为三维时代半导体先进制造引者，助力客户提升核心竞争力，繁荣中国半导体高端应用。

　　公司是中国大陆顶级规模的NOR Flash 制造厂商，近十余年来持续深耕NOR Flash 领域。截至 2024 年3 月底，公司 12 英寸NOR Flash 晶圆累计出货量已超越130 万片。

　　NOR Flash 是一种非易失性存储芯片，具有读取速度快、可靠性强、可芯片内执行（XIP）等特点，在中低容量应用以及需要用低功耗完成内部指令执行、系统数据交换等功能的产品上具备性能和成本上的优势，因此大范围的应用于计算机、消费电子（智能家居、TWS 耳机、穿戴式设备、路由器、机顶盒等）、汽车电子（高级驾驶辅助系统、车窗控制、仪表盘）、工业控制（智能电表、机械控制）、物联网设备等领域。

　　目前， NOR Flash 最重要的包含基于浮栅技术的 ETOX 型和基于电荷俘获技术的SONOS 型两类主流基础工艺结构。ETOX 型 NOR Flash 工艺结构方面，公司技术节点涵盖 65nm 到 50nm，其中自主研发的50nm 技术平台具有业内领先的存储密度。公司“代码型闪存芯片成套核心研发技术及其产业化”项目曾获得湖北省科学技术进步一等奖。 报告期内，公司与客户二、客户三等行业头部客户保持稳定合作伙伴关系，为客户提供各技术节点下各类ETOX 型NOR Flash 晶圆代工。

　　公司自有品牌NOR Flash 产品采用ETOX 型工艺结构，擦写速度与耐受性、数据保持等可靠性与特性指标业内领先。报告期内，企业主要以经销模式销售NOR Flash 产品，与行业头部电子元器件分销商形成了稳定合作伙伴关系，主要使用在于消费电子、计算机、工业控制等领域。 SONOS 型 NOR Flash 工艺结构方面，公司系客户一代码型闪存（产品A）全球唯一晶圆代工供应商。产品A 主要使用在于汽车电子、工业控制领域。 报告期内，公司在特色存储领域亦提供MCU产品的晶圆代工。MCU 又称单片微型计算机，系将CPU的频率与规格做适当缩减，并将 Flash、ADC、计数器等模块集成到同一颗芯片，从而为不同的应用场合提供组合控制。

　　公司拥有业内领先的 55nm ESF3 架构1MCU 工艺，其中超低功耗 MCU 平台已稳定量产、高性能 MCU 平台已完成研发。报告期内，公司 MCU 领域客户最重要的包含恒烁股份等，所代工 MCU 产品应用场景由消费电子逐步推进至工业控制及汽车电子领域。 公司在数模混合领域主要提供 CIS、RF-SOI 等产品晶圆代工。

　　公司具备CMOS 图像传感器制造全流程工艺， 包括以 55nm 逻辑工艺为基础开发的CIS 像素（Pixel）工艺以及背照式、堆栈式产品所需的 BSI、键合工艺等，可为客户提供各类 CIS 产品的晶圆代工。

　　CIS 是一种利用光电转换技术原理所制造的图像传感元件，根据消费、车载、工业等不同应用场景的感光能力、动态范围、图像分辨率等需求，像素单元尺寸从数微米到 0.5 微米，像素数量从数百万到亿级不等。根据工艺架构不同，CIS大致上可以分为前照式、背照式和堆栈式2三类，其中背照式和堆栈式已成为中高端 CIS产品主流结构。

　　CIS 晶圆代工方面，公司技术平台布局完整，技术实力领先，拥有覆盖 0.7微米及以上的像素工艺能力、多年稳定量产的 BSI 工艺和键合工艺，量子效率、动态范围、暗电流、噪声、白点等工艺相关关键性能指标达到国际先进水平。

　　报告期内，公司与客户四、客户五等行业头部客户保持稳定合作伙伴关系，所提供晶圆代工的CIS 产品已广泛覆盖消费、工业、医疗、汽车等各项应用领域。

　　来到RF-SOI方面，报告期内，公司在数模混合领域亦提供 RF-SOI 产品的晶圆代工，拥有 55nm绝缘体上硅工艺完整知识产权。RF-SOI 晶圆代工是公司未来在数模混合领域重点发展的方向，亦是公司 12 英寸集成电路制造生产线三期项目的重要建设部分。

　　RF-SOI 是一类使用部分耗尽的绝缘体上硅工艺生产的射频前端芯片，可集成射频开关、低噪声放大器天线调谐器、功率放大器等器件，具有更低插入损耗、更高增益的性能优势，支持5G、毫米波通信。

　　公司自主开发的 55nm RF-SOI 技术国内领先，已实现 55nm RF-SOI 产品量产。同时，公司已启动下一代 40nm 工艺研发技术。报告期内，公司已与 RF-SOI领域多家国内头部设计公司客户开展合作，提供晶圆代工的RF-SOI 产品可大范围的应用于智能手机等无线通讯领域。 此外，公司还具有国际领先的晶圆级三维集成技术。报告期内，公司三维集成业务主要系按照工艺架构进行划分，已成功构建双晶圆堆叠、多晶圆堆叠、芯片-晶圆异构集成和 2.5D（硅转接板 Interposer）四大工艺平台，应用于三维集成领域各种类型的产品的晶圆代工。

　　（1）双晶圆堆叠平台：该平台将两片晶圆的介质层与金属层通过低温直接键合的方式形成金属互连，在有效减小芯片面积的同时大量增加 I/O 数量，达到增加传输带宽、降低延时及系统功耗的优点，目前支持业界最小的混合键合连接孔距（HB pitch）。

　　（2）多晶圆堆叠平台：该平台通过无凸点（Bumpless）工艺实现多片晶圆的铜-铜直接、超高密度互连，其互连尺寸远小于微凸块封装等方式，可明显提升传输带宽，且对散热更加友好、有利于降低功耗。

　　（3）芯片-晶圆异构集成平台：该平台可实现不一样的尺寸、不一样的材料、不同功能的芯片-晶圆间直接键合，极大提升系统集成的灵活自由度，公司建成了中国大陆首条完全自主可控的三维异构集成工艺产线，正与产业链上下游企业深度合作进行产品验证。

　　（4）2.5D（硅转接板 Interposer）平台：该平台提供具有灵活的多光罩超大尺寸拼接、超高密度深沟槽电容、多层金属重布线层等技术优势的硅转接板，可与 2.5D 封装工艺相结合，为集成系统提供亚微米级精度铜互连，显著减小系统延迟、插损及功耗等，目前已经规模量产。

　　三维集成领域是公司未来发展的重点方向，也是公司 12 英寸集成电路制造生产线三期项目的主要组成部分。公司致力于成为三维时代半导体先进制造引领者，预计未来三维集成业务占比将逐步提升。

　　按照业务类型，报告期内，公司主要经营业务收入主要来源于晶圆代工收入，各期晶圆代工收入分别为 185,383.99 万元、258,247.24 万元、254,631.25 万元和66,897.38 万元，占比分别为 63.27%、77.45%、67.08%和73.33%。公司主要向客户提供 12 英寸特色工艺晶圆代工，按照不同工艺平台，公司向客户提供特色存储、数模混合和三维集成领域多种类别半导体产品的晶圆代工。

　　自有品牌业务主要系公司经营的自有品牌 NOR Flash 产品。报告期内，公司自有品牌业务收入分别为 98,433.01 万元、60,815.51 万元、61,475.75 万元和14,587.67 万元，占比分别为 33.60%、18.24%、16.20%和 15.99%。2022 年，公司自有品牌业务收入下滑，主要系受到下游消费市场需求增长放缓影响。

　　此外，公司还为客户提供研发流片、技术授权、光掩膜版等其他配套业务。报告期内，公司其他配套业务收入分别为9,174.61 万元、 14,368.92 万元、 63,472.62万元和9,741.39 万元，占比分别为3.13%、 4.31%、 16.72%和 10.68%。2023 年度，公司其他配套业务收入增长较快，主要系 2023 年确认了对于公司二的技术授权收入。此外，公司提供的研发流片、光掩膜版等收入亦有所增加。

　　公司主要经营业务按照工艺平台可划分为特色存储、数模混合、三维集成及其他领域。

　　报告期内，公司数模混合工艺平台实现的收入分别是 57,271.20 万元、67,142.22 万元、 76,898.96 万元和26,328.63 万元，占比分别为 19.55%、 20.14%、20.26%和28.86%。数模混合是公司重点发展方向，主要提供 CIS、RF-SOI 等产品晶圆代工。公司结合客户需求逐渐将产品与技术向高端 CIS 领域延拓，同时RF-SOI 的需求量及供应量也逐步增加。

　　报告期内，公司三维集成工艺平台实现的收入分别是 15,828.22 万元、21,116.78 万元、 17,225.98 万元和5,749.17 万元，占比分别为 5.40%、 6.33%、 4.54%和 6.30%。三维集成亦是公司未来重点发展的方向。根据 Yole 统计，预计2023-2028 年，全球三维集成技术制造市场规模年均复合增长率约 34.45%，公司将持续深耕该平台技术创新及市场开拓，助力公司营业收入稳步增长。

　　本次募集资金投资项目为 12 英寸集成电路制造生产线三期项目、特色技术迭代及研发配套项目，项目实施主体均为发行人。公司广泛征集资金项目符合国家相关产业政策和公司发展的策略，与公司主要营业业务、生产经营规模、财务情况、技术条件、管理能力、发展目标相匹配。 这次募集资金到位及募投项目的实施，将在公司三维集成与数模混合业务领域现有领先工艺、技术与量产经验的基础上，逐步扩大产能规模，增强核心业务领域研发实力，从而更好地满足市场需求，提升公司在晶圆代工行业的市场地位和核心竞争力，全方面提升公司的生产能力、研发能力和盈利能力，实现公司的可持续发展。 武汉新芯强调，公司愿景成为三维时代半导体先进制造引领者，助力客户提升核心竞争力，繁荣中国半导体高端应用。这次募集资金投资项目的确定依据如下：

　　本次募集资金相关投资项目，是公司实现既定战略规划和业务发展目标的重要举措，是公司在晶圆代工领域实现差异化、多元化发展的必由路径，亦可与公司正在执行的建设项目实现有序衔接。

　　本次募集资金投资项目顺利实施后，将有利于公司抢抓三维集成与 SOI 产业生态建设关键期，集中优势力量解决国内三维集成、SOI 代工产能供给不足的难题，实现现有优势工艺技术的持续升级迭代，拓展客户产品应用的深度和广度，同时加大对产业链上下游的带动力度、完善构建产业生态。 武汉新芯最后说，半导体行业具有资金密集、技术密集、人才密集的特点，是支撑国民经济与社会持续健康发展的基础性、战略性、先导性产业。作为国内领先的半导体特色工艺晶圆代工企业，着眼于国家对半导体行业的战略性发展规划，公司明确了“致力于卓越的半导体技术与制造，为民族产业提升科学技术实力，为股东实现投资回报，为员工赢得美好生活”的重要使命。公司未来愿景定位于“成为三维时代半导体先进制造引领者，助力客户提升核心竞争力，繁荣中国半导体高端应用”。

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